![]() |
1. Úvod 2. Fyzikální základy 2.1 Základní vlastnosti polovodičů 2.2 Přechod PN 3. Součástky 3.1 Polovodičové diody 3.2 Tranzistory 3.2.1 Bipolární tranzistory 3.2.2 Unipolární tranzistory 3.3 Spínací polovidičové součástky 3.3.1 Dvoubázová dioda 3.3.2 Diak 3.3.3 Tyristory 3.3.4 Triak 3.4 Optoelektrické součástky 3.4.1 Fotorezistory 3.4.2 Fotodiody 3.4.3 Fototranzistory 3.4.4 Fototyristory 3.4.5 Elektroluminiscenční diody 3.4.6 Polovodičové lasery 3.4.7 Světlovody 3.4.8 Optrony 3.4.9 Zobrazovací jednotky 3.5 Polovodičové součástky bez PN přechodu 3.5.1 Varistory 3.5.2 Termorezistory 3.6 Integrované obvody 4. Elektronické obvody 4.1 Usměrňovače 4.1.1 Jednofázový jednocestný jednopulsní usměrňovač 4.1.2 Jednofázový dvoucestný dvoupulsní usměrňovač 4.2 Filtrace napětí 4.3 Zdvojovače a násobiče napětí 4.4. Základní zapojení tranzistorů 5. Seznam značení a zkratek 6. Literatura |
3.5 Polovodičové součástky bez přechodu PN Mezi polovodičové součástky bez přechodu PN zahrnujeme prvky, které využívají pro svou funkci procesy probíhající v objemu polovodiče v důsledku působení vnějších činitelů, např. teploty, osvětlení, magnetického pole, silného elektrického pole apod. [1]
Varistor je nelineární odporový dvojpól, jehož velikost odporu se mění v závislosti na přiloženém napětí. Teorie vzniku nelinearity varistoru se vysvětluje tak, že spékáním zrn polovodiče SiC (karbid křemíku) typu N i P vznikají různé orientované přechody PN, čímž vznikne velmi složitá propojená síť usměrňujících diod. VA charakteristika varistoru je souměrná podle počátku. Varistor se chová jako lineární dvojpól při malém napětí v okolí počátku VA charakteristiky, po překročení určitého napětí dojde k snížení odporu varistoru a ke zvýšení proudu tekoucího varistorem (obr. 3.36.).
Obr: 3.36. VA charakteristika varistoru
Pracovní oblast varistoru je omezena bodem A (koleno pracovní charakteristiky) a B (dovolený ztrátový výkon). Varistory se využívají k ochraně elektrických zařízení před přepětím ve výkonových i signálních obvodech. [1]
Termorezistor je polovodičový nelineární dvojpól, jehož odpor se mění v závislosti na teplotě prostředí, ve kterém pracuje. Zásadně rozeznáváme dva typy : a) termistor NTC - termorezistor se záporným teplotním koeficientem b) termistor PTC - termorezistor s kladným teplotním koeficientem (pozistor) VA charakteristika termistoru NTC (obr.3.37a) je nejprve lineární. Při zvyšování proudu termistorem se zvyšují Jouleovy ztráty v termistoru, kterými se ohřívá a mění svůj odpor, přičemž klesá napětí na termistoru (oblast záporného diferenciálního odporu). Termistory NTC jsou konstruovány na bázi polykrystalických kysličníkových polovodičů (kysličníky niklu, kobaltu, železa, titanu) ve tvaru tyčinek, destiček, perliček apod. Používá se zejména při měření a řízení teploty.
Obr: 3.37. Základní charakteristiky termistoru NTC: a) VA charakteristika b) teplotní závislost odporu termistoru
Na rozdíl od termistoru NTG se odpor pozistoru s rostoucí, teplotou zvyšuje. Ke změně odporu zde dochází poklesem pohyblivosti nosičů náboje s teplotou, přičemž koncentrace nosičů zůstává konstantní. Základním materiálem je buď polovodič nebo feroelektrikum. Polovodičové (krystalové) pozistory jsou vyráběny z germania, nebo křemíku. Jejich teplotní součinitel není velký, Nevýhodou je malá citlivost, avšak pracují ve značném pracovním rozsahu podle lineární závislosti. Feroelektrické pozistory se vyrábějí nejčastěji na bázi FlaTiO3. Teplotní součinitel je větší. Základní charakteristiky pozistoru ukazuje obr. 3.38. Využití pozistoru je obdobné jako u termistorů NTC.
Obr: 3.38. Základní charakteristiky pozistoru: a) VA charakteristika b) teplotní závislost odporu pozistoru [1]
Pojem integrovaný obvod vznikl spojením obou pojmů z různých technických oborů — pojmů "integrace", tj. spojení několika aktivních a pasivních prvků v jeden celek a "obvod", tj. zapojení sestavené z elektrických součástek, které vykonává určitou elektrickou funkci. Podle technologického hlediska můžeme integrované obvody rozdělit: 1) monolitické integrované obvody (bipolární, unipolární) 2) vrstvové integrované obvody (tenkovrstvové, hrubovrstvové) 3) hybridní integrované obvody U integrovaných obvodů rozlišujeme tzv. stupeň integrace, který je měřítkem jejich složitosti. Podle stupně integrace rozdělujeme: 1) integrované obvody malého stupně integrace (SSI) - maximálně 100 součástek 2) integrované obvody středního stupně integrace (MSI) - maximálně 1000 součástek 3) integrované obvody velkého stupně integrace (LSI) - více jak 1000 součástek 4) integrované velmi velkého stupně integrace (VLSI) - desetitisíce součástek Přechod mezi diskrétními prvky a integrovanými obvody tvoří tzv. sdružené prvky (např. tranzistory ve dvojicích v jednom pouzdře). Podle druhu zpracovávaného elektrického signálu rozdělujeme integrované následovně : 1) analogové (lineární) integrované obvody, které zpracovávají elektrický signál, jenž se mění spojitě v závislosti na čase 2) číslicové (Logické) integrované obvody, které zpracovávají logické signály. Hlavní výhody integrovaných obvodů jsou zejména : a) malý objem b) malá hmotnost c) malý příkon d) větší spolehlivost e) větší odolnost proti rušivým vnějším vlivům Při aplikacích integrovaných obvodů je nutné respektovat pokyny výrobce, které sou shrnuty v katalozích polovodičových součástek. [1]
|