|
|
|
1. Úvod 2. Fyzikální základy 2.1 Základní vlastnosti polovodičů 2.2 Přechod PN 3. Součástky 3.1 Polovodičové diody 3.2 Tranzistory 3.2.1 Bipolární tranzistory 3.2.2 Unipolární tranzistory 3.3 Spínací polovidičové součástky 3.3.1 Dvoubázová dioda 3.3.2 Diak 3.3.3 Tyristory 3.3.4 Triak 3.4 Optoelektrické součástky 3.4.1 Fotorezistory 3.4.2 Fotodiody 3.4.3 Fototranzistory 3.4.4 Fototyristory 3.4.5 Elektroluminiscenční diody 3.4.6 Polovodičové lasery 3.4.7 Světlovody 3.4.8 Optrony 3.4.9 Zobrazovací jednotky 3.5 Polovodičové součástky bez PN přechodu 3.5.1 Varistory 3.5.2 Termorezistory 3.6 Integrované obvody 4. Elektronické obvody 4.1 Usměrňovače 4.1.1 Jednofázový jednocestný jednopulsní usměrňovač 4.1.2 Jednofázový dvoucestný dvoupulsní usměrňovač 4.2 Filtrace napětí 4.3 Zdvojovače a násobiče napětí 4.4. Základní zapojení tranzistorů 5. Seznam značení a zkratek 6. Literatura |
n...................hlavní kvantové číslo l....................vedlejší kvantové číslo m..................magnetické kvantové číslo s...................spinové kvantové číslo W..................energetická pásma ΔWz...............zakázané pásmo energií WC................vodivostní pásmo eV.................elektrovolt r,r0................vzdálenosti přechodu od čárového diagramu k pásmovému Si..................chemická značka křemíku Ge.................chemická značka germania n, p...............koncentrace elektronů a děr ni..................vlastní koncentrace k...................Boltzmanova konstanta NC,NV.............hustota stavů ve vodivostním, valenčním pásmu h...................Planckova konstanta men, mep........efektivní hmotnost elektronů a děr T..................termodynamická teplota P..................chemická značka fosforu As................chemická značka arsenu Ga................chemická značka galia In.................chemická značka india WF................Fermiho hladina energií Wa................akceptorová hladina energií Wd................donorová hladina energií U..................napětí UR.................závěrné napětí UF.................propustné napětí UD................difúzní napětí UT................teplotní napětí Nd,Na............koncentrace donorů a akceptorů nN,pP............koncentrace majoritních nosičů nP,pN............koncentrace minoritních nosičů s přiloženým vnějším napětím np0,pn0.........koncentrace minoritních nosičů bez přiloženého vnějšího napětí nn0,pp0.........koncentrace majoritních nosičů bez přiloženého vnějšího napětí UZ...............Zenerovo napětí IR................závěrný proud VA...............voltampérová IS................nasycený proud m................korekční faktor mA...............mikroampér V................volt IF...............propustný proud TKUz...........teplotní koeficient Zenerova napětí PZ..............ztrátový výkon UZ..............ztrátové napětí IZ...............ztrátový proud mV..............milivolt IP...............vrcholová hodnota proudu Cd..............diferenciální kapacita C................kapacita C0..............počáteční kapacita při nulovém napětí n................konstanta, jejíž hodnota je dána konstrukcí varikapu CD..............kapacita v závěrném směru trr...............zotavovací doba diody vf...............vysokofrekvenční rD..............tlumící činnost diody JE..............emitorový přechod JC..............kolektorový přechod IC..............kolektorový proud IB..............proud při zapojení tranzistoru se společnou bází IE..............emitorový proud SB.............zapojení bipolárního tranzistoru se společnou bází SE.............zapojení bipolárního tranzistoru se společným emitorem SC.............zapojení bipolárního tranzistoru se společným kolektorem αN, αI.........proudový zesilovací činitel v zapojení SB v normálním aktivním režimu IES, ICS.......saturační proudy emitorového (kolektorového) přechodu IEB0...........zbytkový proud emitoru v zapojení SB při IC = 0 a UEB < 0 ICB0...........zbytkový proud kolektoru v zapojení SB při IE = 0 a UCB < 0 IES, ICS.......saturační proud emitorového (kolektorového) typu UCB, UEB.....závěrné napětí ree, rcc, rbb..sériové odpory β...............proudový zesilovací činitel nf..............nízkofrekvenční h, y...........hybridní a admitační parametry u, i............napětí a proud v nf obvodech UCEX..........závěrné napětí na emitorovém přechodu UEB0..........mezní napětí emitor - báze UCB0........mezní napětí závěrně polarizovaného kolektorového přechodu UCE0........mezní napětí kolektor - emitor Tjmax.......dovolená mezní teplota kolektorového přechodu To...........teplota okolí RT...........celkový tepelný odpor mezi přechodem a okolím RBE.........odpor báze - emitor MISFET, FET, IG FET......tranzistory s izolovaným hradlem PNFET, JFET, MESFET.....tranzistory s hradlem odděleným potenciální barierou SiO2.........kysličník křemičitý mA...........miliampér UGE..........prahová hodnota napětí UJT..........jednopřechodový tranzistor E.............emitor B1, B2.......báze UBB...........napětí B1, B2 IBB............proud procházející B1, B2 UA............napětí v místě A η..............konstanta udaná výrobcem pro každý typ diody ΔUF...........úbytek na PN přechodu v propustném směru Mn, Mp......multiplakční činitelé elektronů a děr IE1, IE2.......emitorové proudy tranzistorů T1, T2 IC0p, IC0n...děrová a elektronová složka zbytkového proudu společného kolektorového přechodu J2 IA.............anodový proud IRRM..........opakovatelný špičkový závěrný proud URRM.........opakovatelné špičkové závěrné napětí IF, UF........propustné napětí a proud IL.............přídržný proud UDRM, IDRM..opakovatelné špičkové blokovací napětí a proud IH.............vratný proud IT(AV).........střední propustný proud ITSM...........neopakovatelný špičkový propustný proud UTM...........špičkové propustné napětí UGT,IGT......zapínací napětí a proud PG(AV)........střední ztrátový výkon td..............doba zpoždění tp..............doba poklesu trr..............závěrná zotavovací doba Qr..............komutační náboj tq..............vypínací doba S...............citlivost IL...............fotoelektrický proud E...............osvětlení Sλ.............spektrální citlivost Eλ.............osvětlení zářením o určité vlnové délce λ f...............frekvence LED............elektroluminiscenční dioda NTC...........termorezistor se záporným teplotním koeficientem PTC...........termorezistor s kladným teplotním koeficientem ζ.............. teplotní koeficient RT.............odpor při určité teplotě IO.............integrovaný obvod SSI............integrované obvody malého stupně integrace MSI............integrované obvody středního stupně integrace LSI............integrované obvody velkého stupně integrace VLSI............IO pro desetitisíce součástek P................výkon η................účinnost transformátoru Ui, Ii............hodnoty napětí a proudu sekundárního vinutí transformátoru W...............watt A................ampér S................průřez B................magnetická indukce T................tesla N1V.............počet závitů na volt Ni...............počet závitů jednotlivých vinutí d................průměr Rs..............vnitřní odpor usměrňovače Rdp............diferenciální odpor usměrňovače Ri...............vnitřní odpor zdroje napětí Im, Um..............amplituda proudu, napětí IAV.............střední hodnota usměrněného proudu UAV............napětí na zátěži vytvořené proudem IAV UAV0..........,napětí při výstupu usměrňovače naprázdno IAVk............hodnota proudu usměrňovače při chodu na krátko p...............činitel zvlnění RC.............odporový vyhlazovací filtr LC.............tlumivkový vyhlazovací filtr φ..............činitel filtrace C...............kapacita β...............proudový zesilovací činitel tranzistoru UZmax........hodnota napětí při výstupu naprázdno URm...........namáhání diod v závěrném směru
|