![]() |
1. Úvod 2. Fyzikální základy 2.1 Základní vlastnosti polovodičů 2.2 Přechod PN 3. Součástky 3.1 Polovodičové diody 3.2 Tranzistory 3.2.1 Bipolární tranzistory 3.2.2 Unipolární tranzistory 3.3 Spínací polovidičové součástky 3.3.1 Dvoubázová dioda 3.3.2 Diak 3.3.3 Tyristory 3.3.4 Triak 3.4 Optoelektrické součástky 3.4.1 Fotorezistory 3.4.2 Fotodiody 3.4.3 Fototranzistory 3.4.4 Fototyristory 3.4.5 Elektroluminiscenční diody 3.4.6 Polovodičové lasery 3.4.7 Světlovody 3.4.8 Optrony 3.4.9 Zobrazovací jednotky 3.5 Polovodičové součástky bez PN přechodu 3.5.1 Varistory 3.5.2 Termorezistory 3.6 Integrované obvody 4. Elektronické obvody 4.1 Usměrňovače 4.1.1 Jednofázový jednocestný jednopulsní usměrňovač 4.1.2 Jednofázový dvoucestný dvoupulsní usměrňovač 4.2 Filtrace napětí 4.3 Zdvojovače a násobiče napětí 4.4. Základní zapojení tranzistorů 5. Seznam značení a zkratek 6. Literatura |
3. Součástky Polovodičové součástky pro elektroniku můžeme roztřídit podle několika hledisek. Podle technologie nebo konstrukčního uspořádání dělíme polovodičové součástky na diskrétní a integrované. U diskrétní součástky tvoří elektrický funkční prvek současně i samostatnou jednotku součástky, integrované obsahují v mechanickém celku (např. pouzdru) elektrický funkční celek (obvod) složený z mnoha aktivních i pasivních prvků. [1]
Polovodičové součástky využívající statické a dynamické vlastnosti jednoho přechodu PN nazýváme diodami. VA charakteristika polovodičové diody je vlastně VA charakteristikou PN přechodu. Z teoretického rozboru přechodu PN v předešlých kapitolách vyplývá, že závislost mezi napětím a proudem je nelineární a je popsána vztahem:
![]()
Obr: 3.1. VA charakteristika polovodičové diody (Ge)
VA charakteristika polovodičové diody charakterizuje pouze statické parametry polovodičové diody.V četných aplikacích, zejména jedná-li se o zapojení diody v obvodech, kde dochází k rychlým periodicky se opakujícím přechodům z propustného do závěrného směru, jsou důležité dynamické vlastnosti diody. V době, kdy dioda vede propustný proud, jsou oblasti polovodiče vytvářející přechod PN zaplněné nosiči náboje. Má—li přechod přejit z propustného do závěrného stavu a blokovat závěrné napětí, je nutné odvést nosiče náboje z těchto oblastí. [1]
Provedení a použití polovodičových diod Při činnosti polovodičových diod se využívá především základní vlastnost přechodu PN - usměrňující schopnosti přechodu PN. Speciální diody pak využívají dalších vlastností přechodu a to : a) nedestruktivní průraz (např. Zenerova dioda) b) záporný diferenciální odpor (tunelová dioda) c) napěťová závislost kapacity přechodu (varikap) [1]
Usměrňovací diody Usměrňovací diody se používají pro usměrňování (viz.usměrňovače) střídavého proudu průmyslového kmitočtu, případně mohou být použity i pro vyšší kmitočty. Mezní hodnoty usměrňovaných napětí a proudů udává výrobce polovodičových diod formou tzv. charakteristických údajů. Těmito údaji definuje výrobce průběh VA charakteristiky usměrňovací diody. Pracovní oblast VA charakteristiky je popsána dvěma údaji. V propustné části se uvádí hodnota proudu IF, při kterém napětí UFmax nepřekročí hodnotu danou výrobcem. Pro závěrnou část charakteristiky je uvedena hodnota závěrného napětí URmin, při němž proud IR nepřekročí hodnotu udanou výrobcem. [1]
Stabilizační diody Stabilizační (Zenerovy ) diody jsou křemíkové plošné diody, které využívají nedestruktivní průraz při polarizaci diody v závěrném směru. Tvar VA charakteristiky v závěrné oblasti je obvykle určen kombinací obou druhů nedestruktivních průrazů přechodu PN — Zenerova průrazu a lavinového průrazu . Obr. 3.2. ukazuje VA charakteristiku Zenerovy diody. Pro větší hodnoty průrazného Zenerova napětí převládá lavinový průraz (Uz > 6 V) a teplotní koeficient Zenerova napětí TKUz je kladný. Pro menší hodnoty Zenerova napětí (Uz < 6 V) převládá Zenerův průraz a teplotní koeficient TKUz je záporný. Teplotní koeficient Zenerova napětí:
Obr: 3.2. VA charakteristika Zenerovy diody
Dosáhne—li napětí v závěrném směru průrazné hodnoty mění se prudce vodivost diody a proud v závěrném směru narůstá. Proud musí být však omezen vnějším rezistorem tak, aby nebyl překročen mezní ztrátový výkon Pzmax = UzIzmax. Zvyšováním koncentrace příměsí se snižuje hodnota průrazného napětí, neboť se zužuje šířka depletiční vrstvy, takže k vytvoření potřebné intenzity elektrického pole stačí menší hodnota vnějšího napětí. V propustném směru se Zenerova dioda chová jako běžná dioda. Nejběžnější aplikace Zenerových diod jsou stabilizátory napětí a referenční zdroje napětí. [1]
Lavinové diody Jsou to křemíkové polovodičové diody využívající při své činnosti lavinového průrazu, přičemž jsou konstruovány tak, aby jejich výkonová přetížitelnost v závěrném směru byla přibližně stejná jako v propustném směru. Dioda se tedy nezničí průchodem většího závěrného proudu, pokud není překročena mezní hodnota ztrátového výkonu, z čehož pak vyplývá, že lavinové diody mohou být více napěťově namáhány než běžné usměrňovači diody. Ve větší míře se využívají u vysokonapěťových sloupců. Dále mohou být použity jako stabilizátory pro vyšší napětí (stovky voltů) a tvoří základ tzv. lavinových průletových diod, které slouží ke generaci kmitů v mikrovlně oblasti (řádově 10 GHz). [1]
Tunelové diody Tunelové diody využívají při své činnosti vlastnosti přechodu PN vzniklého z polovodičů s vysokou dotací příměsí, která mnohokrát převyšuje koncentraci příměsí běžných diod (tzv. degenerovaný přechod PN). Ve srovnání s obr. 3.2. je závěrné průrazné napětí redukováno k nule, proto se tunelová dioda používá v určité oblasti napětí v propustném směru. Vzhledem ke zvláštnímu tvaru VA charakteristiky, která obsahuje oblast záporného diferenciálního odporu, lze tunelovou diodu použít jako aktivního prvku, např. v obvodech oscilátorů (kmitočet řádově desítky GHz). Čárkovaná křivka na obr. 3.3. představuje VA propustnou charakteristiku běžného přechodu PN. Plná čára znázorňuje, že malé přiložené napětí v propustném směru (cca 50 mV) způsobí nárůst proudu na vrcholovou hodnotu Ip, další zvyšování napětí vede ke snížení proudu na hodnotu Iv. Při dalším zvyšování napětí se tunelová dioda chová jako běžná dioda.
Obr: 3.3. VA charakteristika tunelové diody [1]
Kapacitní diody Z rozboru vlastností přechodu PN vyplývá, že šířka depletiční vrstvy, a tím tedy i oblast prostorového náboje, se mění s rostoucím závěrným napětím. Můžeme tedy definovat tzv. diferenciální kapacitu na jednotku plochy přechodu PN:
Kapacitu varikapu lze vyjádřit, vztahem:
![]()
Obr: 3.4. Napěťová závislost diferenciální kapacity varikapu [1]
Vysokofrekvenční a spínací diody Vysokofrekvenční a spínací diody se používají v obvodech, které pracují při vysokých frekvencích nebo v impulsním provozu. Důležitým parametrem spínacích diod je zotavovací doba trr (doba, za kterou závěrný proud diody poklesne na desetinu své maximální hodnoty), která má být co nejmenší. Z vysokofrekvenčních parametrů výrobce udává kapacitu v závěrném směru CD, usměrňovací účinnost (poměr střední hodnoty jednocestně usměrněného vf napětí a špičkové hodnoty vf napětí daného kmitočtu) a tlumicí rD (vf vstupní odpor diody v zatíženém vf usměrňovači). Podle způsobu provedení rozeznáváme vf diody plošné nebo hrotové. Spínací diody mohou být hrotové s přivařeným hrotem, slévané a difúzní. Velmi dobré spínací a vysokofrekvenční vlastnosti vykazují tzv. Schottkyho diody, které využívají vlastnosti přechodu kov-polovodič. [1]
|